 | | | | | | | | Titel: | | Großsignalmodell für GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren für Leistungsanwendungen in der Mobilkommunikation | |
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| | | | Autor: | Matthias Rudolph | | | Sprache: | Deutsch / German | | Prüfungsjahr: | 2001 | | Erscheinungsjahr: | 2002 | | Seitenzahl: | 150 | | ISBN: | 3-89825-392-9 | | Hochschule: | TU Darmstadt | | Gutachter: | Prof.Dr.Eng.Dr.h.c.mult.H.L.Hartnagel, Dr. G. Tränkle | | Fachgebiet: | | | Suchbegriffe: | Hetero-Bipolar-Transistoren,
HBT,
Großsignalmodell,
Kleinsignalmodell,
Rauschmodell,
Halbleiterrauschen,
Parameterextraktion,
Mikrowellentechnik,
Hochfrequenztechnik,
MMIC,
Schaltungsentwurf,
GaAs | | Band Nr.: | 492 | | Katalog: | Dissertation | | Reihe: | Dissertationen | | Ausstattung: | CLASSIC | | Herausgeber | dissertation.de - Verlag im Internt GmbH | | Buch-Preis: | 39.00 EUR | | PDF-Preis: | 23.20 EUR | | | | | | | Zusammenfassung: | Ein Großsignalmodell fur GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren (HBTs) wird vorgestellt. Es ist für den Entwurf von Leistungsverstärkern in Mobiltelefonen gedacht, weshalb der Schwerpunkt auf der Untersuchung hoher Stromdichten bei niedrigen Versorgungsspannungen liegt. Insbesondere wird die das HF-Verhalten maßgeblich bestimmende Hochstrominjektion in den Kollektor untersucht und modelliert. Die Modellparameter werden aus Messungen extrahiert. Die Beschreibung umfaßt ferner ein bis zur Transitfrequenz gültiges Rauschmodell. Das Modell skaliert mit der Emitterfläche. Mit Hilfe des Modells wird das Leistungsverhalten der HBTs untersucht. Der Wirkungsgrad kann entschieden
gesteigert werden,wenn die zweite Harmonische mit einem Leerlauf abgeschlossen wird,so daß der Transistor im inversen B-Betrieb arbeitet. | |
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